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碳化硅单晶具有优异的热、电性能,在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域 有着广泛的应用前景。碳化硅硬度高、脆性大、化学性质稳定,传统加工方法不完全适用因此在加工过程中会出现效率降低、成本增加的现象?/span>
DISCO 创造性地采用 KABRA 技术? 轴磨削和干法抛光、超声波切割和隐形切割,分别在碳化硅片制造、器件减薄?nbsp;切割环节实现了显著的优化效果?nbsp;
碳化硅片制造:2016 年,DISCO 研发出新型碳化硅晶锭激光切片技术(KABRA),显著 缩短加工用时,将单片 6 ?nbsp;SiC 晶圆的切割时间由 3.1 小时大幅缩短?nbsp;10 分钟,单?nbsp;材料损耗降?nbsp;56%,晶圆产量提?nbsp;1.4 倍。同时新技术可抑制晶圆起伏,无需研磨操作?/span>
碳化器件减薄:碳化硅断裂韧性较低,在薄化过程中易开裂,导致碳化硅晶片的减薄?nbsp;常困难。DISCO 通过 4 轴磨削提高生产率,通过干法抛光提高质量?/span>
碳化器件切割:超声波切割提高处理速度和质量、减少韧性材料的毛刺;隐形切割无需 清洗,且有助于减小芯片间隔?/span>